EUV Pellicle은 극자외선(EUV) 노광 공정에 사용되는 첨단 포토마스크 보호막으로, 반도체 회로의 미세화 및 고집적화에 필수적인 핵심 부품입니다. FST의 EUV Pellicle은 초박막 고내구성 소재와 정밀 가공 기술을 바탕으로, EUV 광원의 투과율과 내구성을 극대화하여 생산 효율성과 수율을 높입니다. 삼성전자 및 글로벌 반도체 장비사와의 협업을 통해 세계 최고 수준의 품질과 신뢰성을 인정받고 있습니다.
EUV 블랭크 마스크는 차세대 반도체 공정에 필수적인 극자외선(EUV) 노광용 포토마스크의 원재료로, 초미세 회로 패턴 구현을 위한 고순도·고정밀 소재입니다. 에스앤에스텍은 대규모 시설 투자와 연구개발을 통해 EUV 공정에 최적화된 블랭크 마스크를 양산 준비 중이며, 글로벌 반도체 산업의 첨단화와 미세화 트렌드에 대응하는 핵심 소재로 자리매김하고 있습니다.
EUV 블랭크마스크는 극자외선(EUV) 리소그래피 공정에 사용되는 첨단 반도체용 소재로, 7nm 이하 초미세 회로 패턴 구현에 필수적인 핵심 부품입니다. 고순도 석영 유리 기판 위에 금속 박막과 감광막이 정밀하게 증착되어, 미세공정에서 높은 해상도와 결함 제어를 실현합니다. EUV용 블랭크마스크는 기존 DUV용 대비 최소 10배 이상의 부가가치를 가지며, 글로벌 파운드리 및 메모리 반도체 제조사에 공급되고 있습니다.
그래핀랩의 EUV 펠리클은 세계 최초로 그래핀 소재를 적용한 극자외선(EUV) 노광용 마스크 보호막입니다. 독자적 저온 성장 그래핀 박막 컨트롤 기술과 CVD 양산 제조방식을 통해 90% 이상의 높은 투과율, 우수한 내구성 및 초박막 구조를 구현하였으며, 5nm 이하 반도체 공정에 필수적인 핵심 부품으로 인정받고 있습니다. 기존 필름 대비 오염 방지력과 열전도성이 뛰어나 차세대 반도체 생산라인에 최적화된 솔루션을 제공합니다.
EUV PR Rinse는 반도체 극자외선(EUV) 노광 공정에서 감광액 도포 후 사용되는 고기능성 린스입니다. 짧은 파장의 EUV 공정에서 발생할 수 있는 패턴 결합 및 붕괴를 방지하며, 해상도와 표면 거칠기, 감도를 개선해 차세대 미세회로 구현에 최적화된 성능을 제공합니다. 국내 최초로 상용화에 성공한 이 제품은 글로벌 반도체 제조사의 양산 라인 평가를 통과하며 국산화의 새로운 기준을 제시합니다.
EUV Mask Baking Laser는 반도체 EUV(극자외선) 노광 공정에 사용되는 마스크의 표면 품질을 극대화하기 위한 특수 레이저 베이킹 장비입니다. 레이저 빔의 에너지 프로파일을 정밀하게 제어하여 마스크 표면의 오염물 및 결함을 효과적으로 제거하고, 마스크의 내구성과 신뢰성을 높여 첨단 반도체 제조 공정의 수율 향상에 기여합니다. 글로벌 반도체 기업과의 공동 개발을 통해 기술력을 인정받고 있으며, EUV 공정의 핵심 장비로 자리매김하고 있습니다.
ML-EUV® Series는 10nm 이하의 초고해상도와 2nm 이하의 선단 거칠기를 구현하는 차세대 극자외선(EUV) 감광제입니다. 유기·무기 분자 단량체를 건식 적층 공정으로 결합하여 기존 Wet/Dry Resist 대비 뛰어난 해상도와 박막 형성을 실현합니다. 글로벌 특허 및 독보적 기술력으로 반도체 미세공정 혁신을 주도하며, 미국 등 해외 시장에서도 경쟁력을 인정받고 있습니다.
EUV Thinner는 포토레지스트 스핀코팅 후 웨이퍼 가장자리 불순물 제거에 사용되며 초미세 패턴 정밀도를 높입니다. Developer(디벨로퍼)는 현상액으로서 특정 부위의 감광막만 선택적으로 제거해 정교한 회로 패턴 형성을 지원합니다. 두 소재 모두 차세대 메탈옥사이드 레지스트(MOR)에 최적화되어 있으며 국내외 주요 고객사의 양산 평가를 통과하여 본격 공급 중입니다.
유비콜-S®는 기존 대비 생산성과 효율성을 대폭 향상시킨 개량형 경구용 콜레라 백신으로서 원액 조성 및 제조 공정이 개선되어 연간 최대 9000만 도스까지 대량생산이 가능합니다. WHO PQ(세계보건기구 사전적격성평가) 인증을 받아 UN기관 및 국제조달시장에 공급되며 네팔 임상3상을 통해 효능과 안전성이 입증되었습니다. 아프리카 등 전 세계적으로 심각한 백신 부족 현상을 해소하는 데 기여하고 있습니다.
