RFHIC의 GaN 전력증폭기는 질화갈륨(GaN)-on-SiC 기술을 기반으로 한 고효율, 고출력 RF 증폭기로, 5G 통신 인프라, 방위산업 레이더 및 위성통신 등 다양한 분야에서 탁월한 성능과 신뢰성을 제공합니다. 내부 공정에서 설계부터 생산·테스트까지 일괄 수행하여 고객 맞춤형 솔루션 제공이 가능하며, 높은 내구성과 에너지 효율로 글로벌 시장에서 인정받고 있습니다.
웨이브피아의 RF GaN HEMT Bare Die는 고주파 파워 증폭용 화합물 반도체 소자로, 뛰어난 전력 효율과 내구성을 자랑합니다. 맞춤형 설계와 첨단 GaN(질화갈륨) 공정 기술을 바탕으로, 5G 통신, 레이더, 위성통신 등 고성능 RF 응용 분야에서 탁월한 성능을 제공합니다. 고객의 요구에 최적화된 솔루션을 제공하며, 글로벌 시장에서 경쟁력을 인정받고 있습니다.
RFHIC의 GaN Transistor는 고전력·고주파 신호 처리를 위한 핵심 반도체 소자로, 기존 LDMOS 대비 소형화와 고효율을 실현합니다. 낮은 전압에서도 높은 내구성과 신뢰성을 제공하며, 5G 통신, 레이더, 전자전, 전기차 전원장치 등 다양한 첨단 산업에 적용됩니다. RFHIC는 국내 최초로 GaN 트랜지스터 상용화에 성공한 기업으로, 글로벌 시장에서 기술력을 인정받고 있습니다.
RFHIC는 세계 최초로 상용화한 질화갈륨(GaN) 트랜지스터 칩을 통해 기존 실리콘 기반 반도체 대비 월등한 출력과 내열성을 자랑합니다. 이 칩은 차세대 무선통신 장비와 방위산업용 시스템의 핵심 부품으로 사용되며, 높은 주파수 대역에서도 안정적인 동작과 긴 수명을 보장합니다.
RFHIC의 GaN RF Power Amplifier는 질화갈륨(GaN) 기반의 첨단 반도체 기술을 적용하여, 기존 실리콘 대비 뛰어난 전력 효율과 내구성을 자랑합니다. 5G 기지국, 레이더, 위성통신, 방산, 산업용 RF 에너지 등 다양한 분야에서 고주파·고출력 신호 증폭에 최적화되어 있으며, 최대 40GHz까지 폭넓은 주파수 대역을 지원합니다. 소형화와 고신뢰성 설계로 통신장비의 성능과 통합 효율을 극대화하며, 글로벌 통신장비 제조사와 방산업체에 공급되는 RFHIC의 대표 제품입니다.
최신 GaN(질화갈륨) 반도체 기술을 적용한 초소형 65W PD 어댑터로, 고출력·고효율·저발열을 실현하며, 휴대성과 디자인을 모두 갖춘 프리미엄 충전 솔루션입니다. 스마트폰, 노트북, 태블릿 등 다양한 휴대용 전자기기에 최적화되어 있으며, 월드와이드(글로벌) 시장을 겨냥한 제품으로 성능과 안전성, 가격 경쟁력을 모두 갖추고 있습니다.
웨이비스의 GaN RF 파워 앰플리파이어 칩은 5G 이동통신 인프라, 레이더, 위성통신 등 첨단 산업에 필수적인 고출력·고주파 신호 증폭 솔루션입니다. 질화갈륨(GaN) 기반으로 설계되어 기존 실리콘 대비 뛰어난 전력 효율과 내열성을 제공하며, 극한 환경에서도 안정적으로 동작합니다. 국내 최초로 양산화에 성공하여 국방·항공우주·안티드론 등 다양한 분야에서 신뢰받는 핵심 부품으로 자리매김하고 있습니다.
RFsemi는 자체 구축한 첨단 FAB 공정을 바탕으로 SiC(실리콘카바이드), GaN(질화갈륨) 기반 차세대 전력반도체 웨이퍼 파운드리 서비스를 제공합니다. 이 웨이퍼는 전기차 구동장치·충전소·5G 통신장비 등에 활용되며 고효율·고내구성 솔루션을 필요로 하는 산업 현장에서 각광받습니다.
질화갈륨(GaN) 기반의 수직형 파워 반도체 소자로, 기존 실리콘(Si)이나 탄화규소(SiC)에 비해 뛰어난 효율성과 안전성을 제공합니다. 전기차용 파워모듈과 차세대 의료장비(CT 등)의 핵심 부품으로 적용되며, 고효율 전력관리와 저발열 특성이 강점입니다. 2026년부터 부산 기장 공장에서 연간 10만 장 규모로 양산될 예정입니다.
웨이비스의 GaN RF 트랜지스터 모듈은 고속 신호처리가 필요한 무선 통신 시스템 및 첨단 방위산업 장비에 최적화된 솔루션입니다. 높은 주파수 대역(GHz 이상)에서 동작하며 열 방출 성능과 출력 안정성이 우수해 장시간 운용에도 탁월한 내구성을 자랑합니다. 국내외 주요 방산 프로젝트와 이동통신 인프라 구축 현장에 공급되고 있습니다.
