알에프에이치아이씨(주)

RFHIC의 GaN RF Power Amplifier는 질화갈륨(GaN) 기반의 첨단 반도체 기술을 적용하여, 기존 실리콘 대비 뛰어난 전력 효율과 내구성을 자랑합니다. 5G 기지국, 레이더, 위성통신, 방산, 산업용 RF 에너지 등 다양한 분야에서 고주파·고출력 신호 증폭에 최적화되어 있으며, 최대 40GHz까지 폭넓은 주파수 대역을 지원합니다. 소형화와 고신뢰성 설계로 통신장비의 성능과 통합 효율을 극대화하며, 글로벌 통신장비 제조사와 방산업체에 공급되는 RFHIC의 대표 제품입니다.

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RFHIC의 GaN Transistor는 고전력·고주파 신호 처리를 위한 핵심 반도체 소자로, 기존 LDMOS 대비 소형화와 고효율을 실현합니다. 낮은 전압에서도 높은 내구성과 신뢰성을 제공하며, 5G 통신, 레이더, 전자전, 전기차 전원장치 등 다양한 첨단 산업에 적용됩니다. RFHIC는 국내 최초로 GaN 트랜지스터 상용화에 성공한 기업으로, 글로벌 시장에서 기술력을 인정받고 있습니다.

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RFHIC의 마이크로웨이브 가열 및 플라즈마 발생기는 RF 에너지 기술을 바탕으로 반도체 공정, 화학 증착(CVD), 의료기기, 배터리 소재 등 다양한 산업 분야에서 정밀한 에너지 전달과 플라즈마 생성을 구현합니다. 고효율, 고신뢰성 설계로 산업용 자동화와 첨단 제조공정의 생산성을 높이며, RFHIC의 RF·마이크로웨이브 기술이 집약된 차세대 솔루션입니다.

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