알에프에이치아이씨(주)

RFHIC의 GaN 전력증폭기는 질화갈륨(GaN)-on-SiC 기술을 기반으로 한 고효율, 고출력 RF 증폭기로, 5G 통신 인프라, 방위산업 레이더 및 위성통신 등 다양한 분야에서 탁월한 성능과 신뢰성을 제공합니다. 내부 공정에서 설계부터 생산·테스트까지 일괄 수행하여 고객 맞춤형 솔루션 제공이 가능하며, 높은 내구성과 에너지 효율로 글로벌 시장에서 인정받고 있습니다.

• 질화갈륨(GaN)
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RFHIC는 세계 최초로 상용화한 질화갈륨(GaN) 트랜지스터 칩을 통해 기존 실리콘 기반 반도체 대비 월등한 출력과 내열성을 자랑합니다. 이 칩은 차세대 무선통신 장비와 방위산업용 시스템의 핵심 부품으로 사용되며, 높은 주파수 대역에서도 안정적인 동작과 긴 수명을 보장합니다.

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RFHIC의 마이크로웨이브 플라즈마 발생 시스템은 첨단 반도체 공정(CVD), 의료 암 치료기 및 배터리 소재 제조 등 다양한 산업 현장에서 활용됩니다. 독자적인 RF 및 마이크로웨이브 기술력을 바탕으로 균일하고 강력한 플라즈마를 생성해 생산성과 품질 향상을 지원하며 산업용·연구용 모두에 적합합니다.

• 마이크로웨이브플라즈마
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• CVD시스템
• 의료암치료기술
• 배터리소재제조