에스케이하이닉스(주)

HBM3E는 SK하이닉스가 세계 최초로 양산에 성공한 차세대 초고속·고대역폭 메모리 반도체로, 여러 개의 D램을 12단 적층하여 기존 D램 대비 월등한 데이터 처리 속도와 에너지 효율을 제공합니다. AI 서버, 고성능 컴퓨팅, 데이터센터 등에서 대규모 연산과 실시간 데이터 처리가 필요한 환경에 최적화된 제품으로, 글로벌 AI 메모리 시장에서 독보적인 경쟁력을 자랑합니다.

DDR5 DRAM은 차세대 고성능 메모리로, 기존 DDR4 대비 두 배 이상의 데이터 전송 속도와 향상된 전력 효율을 실현합니다. 대용량 데이터 처리와 빠른 응답성이 요구되는 서버, PC, 모바일, AI 등 다양한 분야에서 사용되며, SK하이닉스의 첨단 미세공정 기술이 적용된 대표 메모리 솔루션입니다.

4D NAND Flash는 SK하이닉스의 독자적 기술로 개발된 고집적·고성능 낸드플래시 메모리입니다. 4차원 구조의 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri. Under Cell) 기술을 적용해 저장 용량과 속도를 극대화했으며, 스마트폰, SSD, 데이터센터 등 다양한 저장장치에 탑재되어 대용량 데이터 저장과 빠른 읽기/쓰기 성능을 제공합니다.